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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 4973 个

  • ups不间断电源​,90a100v,3310mos管,​KCY3310A参数资料-KIA MOS管

    KCY3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，极低的开关损耗，低RDS（开启）和FOM，最小化导通电阻，开关性能优越；?卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适用于电源切换应用、硬开关...

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    www.kiaic.com/article/detail/5678.html         2025-05-19

  • 推挽式变换器工作原理,推挽式变换电路-KIA MOS管

    当控制信号UA为高电平时，开关管VT1导通，输入电压施加到变压器初级绕组Np1，形成初级电流Ip1。此时次级绕组Ns2感应出电压，使二极管 VD2导通，电流经滤波电感L向负载供电。

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    www.kiaic.com/article/detail/5677.html         2025-05-19

  • 电容啸叫解决,电路MLCC电容啸叫原因-KIA MOS管

    啸叫主要发生在MLCC和感性器件，在一些包含音频功能的产品如手机、运动相机中，啸叫会严重干扰产品的音频性能。一般而言，具备如下特征的电容和电路设计更容易产生啸叫：电容器尺寸大、静电容量大、线电压和电压变动（电流变动）大、同一条线上安装了多个符合上...

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    www.kiaic.com/article/detail/5676.html         2025-05-19

  • 高频开关电源mos管,2a650v,2n65场效应管参数引脚图-KIA MOS管

    高效开关电源专用MOS管KIA2N65HD漏源击穿电压60V，漏极电流230A；采用先进的平面条纹DMOS技术，?低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，低栅极电荷6.5nC，?最小化导通电阻，提供卓越的开关性能；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、?...

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    www.kiaic.com/article/detail/5675.html         2025-05-16

  • 半桥llc谐振变换器,llc谐振电路原理-KIA MOS管

    半桥网络：由两个MOS管（Q1、Q2）组成，交替导通。谐振网络：包括谐振电感Lr、谐振电容Cr、励磁电感Lm（通常为变压器漏感与励磁电感组合）。副边整流：通过变压器耦合至副边，由整流二极管（D1、D2）和输出电容Cout完成能量输出。

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    www.kiaic.com/article/detail/5674.html         2025-05-16

  • 交流充电桩电路图,原理详解-KIA MOS管

    当充电枪插入新能源汽车充电口后，汽车检测点3电压会发生变化。当充电枪按压开关按下时，R4与RC串联，电阻较大，检测点3电压较高；当充电枪按压开关松开后，R4短路，只有一个RC电阻，检测点电压较低，通过检测点电压变化，确定充电枪是否接入。

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    www.kiaic.com/article/detail/5673.html         2025-05-16

  • 锂电池保护板专用,230a60v场效应管,KNB1906A参数-KIA MOS管

    锂电池保护板专用MOS管?KNB1906A漏源击穿电压60V，漏极电流230A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效稳定；高雪崩电流、环保无铅，坚固可靠；广泛应用于UPS、电源、电池管理系统等；...

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    www.kiaic.com/article/detail/5672.html         2025-05-15

  • 运算放大器RC振荡器电路,RC相移振荡器-KIA MOS管

    在RC相移振荡器中，RC网络产生180度相移，运算放大器产生另一个180度相移，因此产生的波反转360度。除了产生正弦波输出外，它们还用于对相移过程提供重要的控制。

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    www.kiaic.com/article/detail/5671.html         2025-05-15

  • RC正弦波振荡器的组成,工作原理详解-KIA MOS管

    当信号通过RC网络时，电容器的电流超前电压90°，而电阻的电压和电流是同相位的。通过串联多个RC级，可以在输出和输入之间产生180°的相位差，从而形成正反馈，驱动振荡。

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    www.kiaic.com/article/detail/5670.html         2025-05-15

  • 8104mos管,30a40vmos管,KNG8104A场效应管参数资料-KIA MOS管

    KNG8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：DF...

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    www.kiaic.com/article/detail/5666.html         2025-05-14

  • pwm控制场效应管,30a40v电压,KNY8104A参数引脚图-KIA MOS管

    KNY8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：DF...

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    www.kiaic.com/article/detail/5669.html         2025-05-14

  • 分立式PWM发生器电路图,原理作用详解-KIA MOS管

    PWM波形通常用于控制直流电机的速度。数字波形的占空比可以通过使用可调模拟电压电平（在基于 NE555 的 PWM 发生器的情况下）或使用二进制值进行数字定义。

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    www.kiaic.com/article/detail/5668.html         2025-05-14

  • PWM调速器电路图,直流电机pwm调速-KIA MOS管

    ①右旋旋钮，开关闭合，5V经过R2，D2和RP1(1-2)给C3充电，C3电压上升到触发电平后触发翻转；②触发翻转后7脚放电端对地导通，C3通过RP1(2-3)、D3和R4对地放电，C3电压下降到复位电平后触发翻转；

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    www.kiaic.com/article/detail/5667.html         2025-05-14

  • 适配器充电器mos管,500V13A高压mos管,KNX6450B-KIA MOS管

    KNX6450B是一款高压MOS管，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具备快速切换特性，实现快速切换电源，减少损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，确保器件工作高效低耗，稳定可靠；KNX6450B场效应管在适配器和充电器的电源开...

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    www.kiaic.com/article/detail/5266.html         2025-05-13

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